基于STM32的Flash读写详解

前言

本文主要介绍STM32多种的内部Flash读写方式和读写长文件的功能函数怎样编写。阅读完本文可以使你能够正常的完成Flash读写操作。

介绍 STM32 FLASH

不同型号的 STM32，其 FLASH 容量也有所不同，最小的只有 16K 字节，最大的则达到了1024K 字节。本次实验选用的STM32 开发板是F103ZET6，其 FLASH 容量为 512K 字节，属于大容量产品（另外还有中容量和小容量产品），大容量产品的闪存模块组织如图 所示： STM32 的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。 主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X08000000， B0、B1 都接 GND 的时候，就是从 0X08000000开始运行代码的。 信息块，该部分分为 2 个小部分，其中启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序，用于串口下载代码，当 B0 接 V3.3，B1 接 GND 的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能。 闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理；编程与擦除的高电压由内部产生。 在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。

闪存的编程和擦除

STM32 的闪存编程是由 FPEC（闪存编程和擦除控制器）模块处理的，这个模块包含 7 个 32 位寄存器，他们分别是：

• FPEC 键寄存器(FLASH_KEYR)
• 选择字节键寄存器(FLASH_OPTKEYR)
• 闪存控制寄存器(FLASH_CR)
• 闪存状态寄存器(FLASH_SR)
• 闪存地址寄存器(FLASH_AR)
• 选择字节寄存器(FLASH_OBR)
• 写保护寄存器(FLASH_WRPR) STM32 复位后，FPEC 模块是被保护的，不能写入 FLASH_CR 寄存器；通过写入特定的序列到 FLASH_KEYR 寄存器可以打开 FPEC 模块，只有在写保护被解除后，我们才能操作相关寄存器。 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位（不能单纯的写入 8 位数据哦！），当 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为’1’时，在一个闪存地址写入一个半字将启动一次编程；写入任何非半字的数据，FPEC 都会产生总线错误。在编程过程中(BSY 位为’1’)，任何读写闪存的操作都会使 CPU暂停，直到此次闪存编程结束。 同样，STM32 的 FLASH 在编程的时候，也必须要求其写入地址的 FLASH 是被擦除了的（也就是其值必须是 0XFFFF），否则无法写入，在FLASH_SR 寄存器的 PGERR 位将得到一个警告。 STM23 的 FLASH 写入过程如图所示。 STM32的Flash写入顺序如下：
• 检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁
• 检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以确认没有其他正在进行的编程操作
• 设置 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为’1’
• 在指定的地址写入要编程的半字
• 等待 BSY 位变为’0’ - 读出写入的地址并验证数据

Flash读写的标准库函数

1. 解锁函数：void FLASH_Unlock(void)； 对 FLASH 进行写操作前必须先解锁，解锁操作也就是必须在 FLASH_KEYR 寄存器写入特定的序列,固件库函数实现很简单：只需要直接调用 FLASH_Unlock();即可。
2. 锁定函数：void FLASH_Lock(void)； 有解锁当然就有上锁，为了保护Flash，读写和擦除全部需要的Flash后需要上锁，只需要调用： FLASH_Lock()；
3. 写操作函数： 固件库提供了三个 FLASH 写函数：

FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);

顾名思义分别为：FLASH_ProgramWord 为 32 位字写入函数，其他分别为 16 位半字写入和用户选择字节写入函数。这里需要说明，32 位字节写入实际上是写入的两次 16 位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位并不矛盾。写入 8位实际也是占用的两个地址了，跟写入 16 位基本上没啥区别。 4. 获取 FLASH 状态 主要是用的函数是：FLASH_Status FLASH_GetStatus(void)； 返回值是通过枚举类型定义的，分别为： FLASH_BUSY = 1,//忙 FLASH_ERROR_PG,//编程错误 FLASH_ERROR_WRP,//写保护错误 FLASH_COMPLETE,//操作完成 FLASH_TIMEOUT//操作超时 5. 等待操作完成函数 在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。 所以在每次操作之前，我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。使用的函数是：FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout)入口参数为等待时间，返回值是 FLASH 的状态，这个很容易理解，这个函数本身我们在固件库中使用得不多，但是在固件库函数体中间可以多次看到。 6. 读 FLASH 特定地址数据函数 有写就必定有读，而读取 FLASH 指定地址的半字的函数固件库并没有给出来，这里我们自己写的一个函数。

u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
return *(vu16*)faddr; 
}

软件设计 FLASH的读取 直接读取某一地址的内容

因为读取FLASH并不需要解锁，我们可以直接用指针指向所读的地址，之后读取此地址的内容即可。

p = (uint32_t *)(0x08008000);
printf("\r\n读取内部FLASH该地址存储的内容为：0x%x",*p);

此程序就是先将0x08008000赋给指针变量P，之后将P指向地址的内容以16进制的格式输出出来。

读取选定位置的选定大小的内容

1. 首先我们编写一个函数，用以读取指定地址的半字(16位数据)。

u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
	return *(vu16*)faddr; 
}

2. 从指定地址开始读出指定长度的数据

• LReadAddr:起始地址
• pBuffer:数据指针
• NumToWrite:半字(16位)数

void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)   	
{
	u16 i;
	for(i=0;i